Курсовая работа на тему биполярные транзисторы

    Если бы база имела значительную толщину и концентрация дырок в ней была велика, то большая часть электронов эмиттерного тока, диффундируя через базу, рекомбинировала бы с дырками и не дошла бы до коллекторного перехода. На этой схеме -- сопротивление эмиттера, в которое входят сопротивление эмиттерного перехода и эмиттерной области. Промокод можно применить один раз при первом заказе. Этот ток называют еще начальным током коллектора. Если в течение 5 минут не придет письмо, возможно, допущена ошибка в адресе. Изменяя IБ, можно перемещать ее по нагрузочной прямой.

    Чистый понедельник рецензия на рассказ9 %
    Эдгар аллан по падение дома ашеров рецензия91 %
    Методы минимизации логических функций курсовая работа92 %
    Объявления о защитах докторских диссертаций48 %

    Лишь небольшая часть электронов рекомбинирует в базе с дырками. В результате рекомбинации возникает ток базы. В установившемся режиме число дырок в базе должно быть неизменным.

    Вследствие рекомбинации каждую секунду сколько-то дырок исчезает, но столько же новых дырок возникает за счет того, что из базы уходит в направлении к плюсу источника E1 такое же число электронов.

    Иначе говоря, в базе не может накапливаться много электронов.

    Расчет разделительных конденсаторов. Транзисторы представляют собой полупроводниковые приборы с двумя p-n-переходами. Электроны этого тока инжектируются из эмиттера в базу и благодаря диффузии проникают сквозь базу в коллекторный переход, увеличивая ток коллектора. Достоинство схемы ОЭ — удобство питания ее от одного источника, поскольку на коллектор и базу подаются питающие напряжения одного знака.

    Если некоторое число инжектированных в базу из эмиттера электронов не доходит до коллектора, а остается в базе, рекомбинируя с дырками, то точно такое же число электронов должно уходить из базы в виде тока iб. Поскольку ток коллектора получается меньше тока эмиттера, то в соответствии с первым законом Кирхгофа всегда существует следующее соотношение между токами:.

    Ток базы является бесполезным и даже вредным.

    Влияние температуры на статистические характеристики, динамические параметры. При малых и больших токах a уменьшается, а при некотором среднем значении тока достигает максимума. Токи эмиттера и коллектора уменьшатся до 0,5 мА.

    Желательно, чтобы он был как можно меньше. Обычно iб составляет малую долю проценты тока эмиттера, т. Именно для того, чтобы ток iб был как можно меньше, базу делают очень тонкой и уменьшают в ней концентрацию примесей, которая определяет концентрацию дырок.

    Тогда меньшее число электронов будет рекомбинировать в базе с дырками. Если бы база имела значительную толщину и концентрация дырок в ней была велика, то большая часть электронов эмиттерного тока, диффундируя через базу, рекомбинировала бы закон обязательном страховании реферат дырками и не дошла бы до коллекторного перехода.

    Ток коллектора почти не увеличивался бы за счет электронов эмиттера, а курсовая работа на тему биполярные транзисторы бы лишь увеличение тока базы. Когда к эмиттерному переходу напряжение не приложено, то практически можно считать, что в этом переходе нет тока. В этом случае область коллекторного перехода имеет большое сопротивление постоянному току, так как основные носители зарядов удаляются от этого перехода и по обе стороны от границы создаются области, обедненные этими носителями.

    Через коллекторный переход протекает лишь очень небольшой обратный ток, вызванный перемещением навстречу друг другу неосновных носителей, то есть электронов из p -области и дырок из n —области.

    Важное свойство транзистора — приблизительно линейная зависимость между его токамито есть все три курсовая работа на тему биполярные транзисторы транзистора изменяются почти пропорционально друг другу.

    Подобные же процессы происходят в транзисторе типа p—n—pно в нем меняются ролями электроны и дырки, а также изменяются полярности напряжений и направления токов рис.

    В транзисторе типа p—n—p из эмиттера и базу инжектируются не электроны, а дырки, которые являются для базы неосновными носителями. С увеличением тока эмиттера больше таких дырок проникает через базу к коллекторному переходу. Это вызывает уменьшение его сопротивления и возрастание тока коллектора. Работу транзистора можно наглядно представить с помощью потенциальной диаграммы, которая приведена на рис.

    Потенциал эмиттера принят за нулевой.

    Курсовая работа на тему биполярные транзисторы 383

    В эмиттерном переходе имеется небольшой потенциальный барьер. Чем больше напряжение Uб-этем ниже этот барьер. Коллекторный переход имеет значительную разность потенциалов, ускоряющую электроны. Помимо рассмотренных основных физических процессов в транзисторах приходится учитывать еще ряд явлений. Существенно влияет на работу транзисторов сопротивление базы rб0то есть сопротивление, которое база оказывает току базы iб ноль в индексе здесь означает, что данная величина относится к работа току.

    Этот ток протекает к выводу базы в направлении, перпендикулярном направлению эмиттер—коллектор. Так как база очень тонкая, то в направлении от эмиттера к коллектору, то есть для тока iк ее сопротивление очень мало и не принимается во курсовая. А в тему биполярные к выводу базы сопротивление базы rб0 его называют поперечным достигает транзисторы ом, так как в этом направлении база аналогична очень тонкому проводнику. С учетом сопротивления rб0 можно изобразить эквивалентную схему транзистора для постоянного тока рис.

    На рис. Значение rэ0 у маломощных транзисторов достигает десятков ом, поскольку напряжение на эмиттерном переходе не превышает десятых долей вольта, а ток эмиттера в таких транзисторах составляет единицы миллиампер.

    У более мощных транзисторов больше и iэ0 соответственно меньше. Сопротивление rб0 определяется формулой в омах где ток iэ выражается в миллиамперах. Сопротивление коллектора rко транзисторы собой практически сопротивление коллекторного перехода и составляет единицы и десятки килоом.

    В него входит также сопротивление коллекторной области, но оно сравнительно мало и им можно пренебречь.

    Биполярный ТРАНЗИСТОР.

    Рассмотренная эквивалентная схема является весьма приближенной, так как на самом деле эмиттер, база и коллектор имеют между собой контакт не в одной точке, а во множестве точек по всей площади переходов. Тем не менее, эта схема может применяться для рассмотрения многих процессов в транзисторе. При повышении напряжения на коллекторном переходе в нем происходит лавинное размножение носителей заряда, из-за ударной ионизации.

    • Стандартные номинальные значения сопротивлений.
    • Ток базы в этом режиме в соответствии с выражением ; при увеличении прямого напряжения он уменьшается вначале до нуля, а затем изменяет направление и возра-стает почти экспоненциально.
    • Транзистор может работать в трех режимах в зависимости от напряжения на его переходах.
    • Напряжения между электродами обозначают двойными индексами, например напряжение между базой и эмиттером Uб-э , между коллектором и базой Uк-б.
    • Выбор положения начальной рабочей точки Р для режима постоянного тока в цепи коллектора.
    • В целом зависимость коэффициента передачи тока от тока эмит-тера в маломощных транзисторах незначительна, в чем можно убедить-ся, обратив внимание на масштаб по вертикальной оси рис.

    Это явление и туннельный эффект способны вызвать электрический пробойкоторый при возрастании тока может перейти в тепловой пробой перехода.

    Электрический и тепловой пробой курсовая работа на тему биполярные транзисторы перехода в транзисторе происходит в основном так же, как и в диоде. Семейство выходных характеристик выбранного транзистора. Падение напряжения на сопротивлении эмиттера. Расчет разделительных конденсаторов. Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т. Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.

    Главная База знаний "Allbest" Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника Биполярные транзисторы - подобные работы. Биполярные транзисторы Общие сведения о биполярном транзисторе, их конструкция.

    Пробой, режимы и принцип работы, вольт-амперные характеристики. Цоколевка транзистора KTA. Обозначение на схемах. Модули проводимости прямой и входной передачи. Расчет характеристик KTA.

    Биполярный транзистор. Основные параметры, схемы включения и мн.др.

    Это очень важно для сильноточных приборов, в которых локальная неоднородность смещения может вследствие местного нарастания тока привести к точечному перегреву.

    Сильноточные устройства часто разделяют на секции группы зубцов, или малых транзисторовсоединенные между собой токовыми шинами с малым сопротивлением. В транзисторах для диапазона сверхвысоких частот - другие трудности. Их максимальная рабочая частота ограничивается временем задержки, которое требуется для зарядки эмиттерного и коллекторного переходов поскольку заряд переходов зависит от напряжения, они ведут себя как конденсаторы.

    Это время можно свести к минимуму, уменьшив до предела площадь эмиттера. Поскольку эффективно действует лишь периферийная часть эмиттера, зубцы делают очень узкими; зато число их увеличивают так, чтобы получить нужный ток.

    Ширина зубца типичного высокочастотного эмиттера составляет мкм, и таковы же промежутки между зубцами. Курсовая работа на тему биполярные транзисторы обычно имеет толщину 0,2 мкм. На частотах выше МГц время переноса заряда через базу уже не является определяющей характеристикой - существенно также время переноса через область коллектора; однако этот параметр можно уменьшить только путем уменьшения внешнего напряжения на коллекторе.

    Рассмотрим как работает транзистор р- n - p типа в режиме без нагрузки, когда включены только источники постоянных питаю-щих напряжений E 1 и E 2 рис. Полярность их такова, что на эмит-терном переходе напряжение прямое, а на коллекторном переходе - обратное. Поэтому сопротивление эмиттерного перехода мало и для получения нормаль-ного тока в этом переходе достаточно напряжения Е 1 в десятые доли вольта.

    Сопротивление коллекторного отчет прохождении практики у велико, и напряжение Е 2 обычно составляет единицы или десятки вольт. Из рис видно, что напряжение между электродами транзистора связаны простой зависимостью:. Принцип работы транзистора заключается в том, что прямое смешение эмиттерного перехода, т.

    При этом изменения тока коллектора лишь незначительно меньше изменений тока эмиттера. Таким образом, напряжениет. Курсовая работа на тему биполярные транзисторы электрических колебаний с по-мощью транзистора основано именно на этом явлении.

    Курсовая работа на тему биполярные транзисторы 2380

    Рис отчеты по практике менеджмент Движение э лектронов и дырок в транзисторе р- n -р типа. При увеличении прямого входного напряжения понижается потенциальный барьер в эмиттерном переходе и соответственно возрастает ток эмиттера.

    Дырки инжектируются из эмиттера в базу и создают вблизи p - n перехода электрический заряд, который в течении времени ? Между ними возникает электрическое поле. Если толщина базы достаточно мала и концентрация электронов в ней невелика, то большинство, дырок пройдя через базу, не успевает рекомбинировать с электронами базы и достигают коллекторного перехода.

    Лишь небольшая часть дырок рекомбинирует в базе с электронами. В результате рекомбинации возникает ток базы. Действительно, в установившемся режиме число электронов в базе должно быть неизменным. Вследствие рекомбина-ции каждую секунду сколько электронов исчезает, столько же новых электронов возникает за счет того, что из базы уходит в направлении к минусу источника E 1 такое же число дырок.

    Иначе говоря, в базе не может накапливаться много дырок. Если некоторое число инжектированных в базу дырок из эмиттера не доходит до коллектора, а остается в базе. Рекомбинируя с электронами, то точно такое же число дырок должно уходить из базы в виде тока.

    Поскольку ток коллектора получается меньше тока эмиттера, то в соответствии с первым законом Кирхгофа всегда существует следующее соотношение между токами:. Ток базы является бесполезным и даже вредным. Желательно, чтобы он был как можно меньше. Обычно составляет проценты курсовая работа на тему биполярные транзисторы эмиттера, т. Именно для того, чтобы ток был как можно меньше, базу делают очень тонкой и уменьшают в ней концентрацию примесей, которая определяет концентрацию электронов.

    Тогда меньшее число дырок будет рекомбинировать в базе с электронами. Курсовая работа на тему биполярные транзисторы бы база имела значительную толщину и концентрация электронов в ней была велика, то большая часть курсовая работа на тему биполярные транзисторы эмиттерного тока, диффундируя через базу, рекомбинировала бы с электронами и не дошла бы до коллекторного перехода. Ток коллектора почти не увеличивался бы за счет дырок эмиттера, а наблюдалось бы лишь увеличение тока базы.

    Когда к эмиттерному переходу напряжение не приложено, то практически можно считать, что в этом переходе почти нет тока. В этом случае область коллекторного перехода имеет большое сопротивление постоянному току, так как основные носители зарядов удаляются от этого перехода и по обе стороны от границы создаются области, обеденные этими носителями.

    Через коллекторный переход протекает лишь очень небольшой обратный ток, вызванный пере-мещением навстречу друг другу неосновных носителей, т. Но если под действием входного напряжения возник значительный ток эмиттера, то в область базы со стороны эмиттера инжектируются дырки, кото-рые для данной области являются неосновными носителями.

    Не успевая реком-бинировать с электронами при диффузии через базу, они доходят до коллектор-ного перехода. Чем больше ток эмиттера, тем больше дырок приходит к коллекторному переходу курсовая работа на тему биполярные транзисторы тем меньше становится его сопротивление. Соот-ветственно увеличивается ток коллектора. Иначе говоря, с увеличением тока эмиттера в базе возрастает концентрация неосновных носителей, инжектирован-ных из эмиттера, а чем больше этих носителей, тем больше ток коллектор-ного перехода,т.

    По рекомендуемой терминологии эмиттером следует называть область тран- зистора, назначением которой является инжекция носителей заряда в базу.

    Кол- лектором называют область, назначением которой является экстракция носи-телей заряда из базы. А базой является область, в которую инжектируются эмиттером неосновные для этой области носители заряда.

    Следует отметить, что эмиттер и коллектор можно поменять местами так называемый инверсный режим. Но в транзисторах, как правило, коллекторный переход делается со значительно большей площадью, нежели эмиттерный пе-реход, так как мощность, рассеиваемая в коллекторном переходе, гораздо боль-ше, чем рассеиваемая в эмиттерном. Поэтому если использовать эмиттер в качестве коллектора, то транзистор будет работать, но его можно применять только при значительно меньшей мощности, что нецелесообразно.

    Если площади переходов сделаны одинаковыми транзисторы в этом случае называют сим- метричнымито любая из крайних областей может с одинаковым успехом работать в качестве эмиттера или коллектора.

    Поскольку в транзисторе ток эмиттера всегда равен сумме токов коллектора и базы, то приращение тока эмиттера также всегда равно сумме приращений коллекторного и базового токов:. Курсовая работа на тему биполярные транзисторы свойством транзистора является приблизительно линейная зависи-мость между его токами, т. Мы рассмотрели физические явления в транзисторе типа р-п - p.

    Работу транзистора можно наглядно представить с помощью потенциальной диаграммы, которая показана на рис. Эту диаграмму удобно использовать для создания механи-ческой модели транзистора. Потенциал эмиттера принят за нулевой. В эмиттерном переходе имеется небольшой потенциальный барьер. Чем больше напряжениетем ниже этот барьер. Рисунок 2 - условное графическое обозначение транзисторов Средняя область транзистора называется базой, одна крайняя область - эмиттером, другая - коллектором.

    Каждая из областей снабжается омическим контактом, от которого делается вывод, обозначаемый Э, К, Б соответственно.

    [TRANSLIT]

    Таким образом, в транзисторе имеются два n-p-перехода: эмиттерный - между эмиттером и базой и коллекторный - между базой и коллектором. Расстояние между ними должно быть очень малым, не более единиц микрометров, то есть область базы должна быть очень тонкой. Это является условием хорошей работы транзистора. Кроме того, концентрация примесей в базе всегда значительно меньше, чем в коллекторе и эмиттере. Назначение эмиттера - это инжекция впрыскивание в область базы неосновных для нее носителей заряда, для чего область эмиттера выполняют более насыщенной основными носителями более низкоомнойчем область базы.

    Назначение коллектора - это экстракция втягивание носителей из базы. В режиме отсечки и режиме насыщения управление транзистором почти отсутствует. В активном режиме такое управление осуществляется наиболее эффективно, причем транзистор может выполнять функции активного элемента курсовая работа на тему биполярные транзисторы схемы усиление, генерирование и т.

    Биполярные транзисторы. Принцип действия. Схемы включения

    Биполярные транзисторы являются полупроводниковыми приборами универсального назначения и широко применяются в различных усилителях, генераторах, в импульсных и ключевых устройствах. Основными элементами схемы являются источник питания Ек, управляемый элемент — транзисторVT и резистор Rк.

    Эти элементы образуют главную выходную цепь усилительного каскада, в которой за счет протекания управляемого тока создается усиленное переменное напряжение на выходе схемы. Остальные элементы выполняют вспомогательную роль. Конденсатор Ср является разделительным. При отсутствии этого конденсатора в цепи источника входного сигнала создавался бы постоянный ток от источника питания Ек. Рисунок 4. Резистор RБ, включенный в цепь базы, обеспечивает работу транзистора в режиме покоя, то есть в отсутствие входного сигнала.

    С помощью резистора Rк создается выходное напряжение, то есть Rк выполняет функцию создания изменяющегося напряжения в выходной цепи за счет протекания в ней тока, управляемого по цепи базы.

    Для коллекторной цепи усилительного каскада можно записать следующее уравнение электрического состояния:. Процесс усиления основывается на преобразовании энергии источника постоянного напряжения Ек в энергию переменного напряжения в выходной цепи за счет изменения сопротивления управляемого элемента транзистора по закону, задаваемого входным сигналом.

    Усилительные способности обусловлены тем, что изменение значений тока коллектора в b раз больше, чем тока базы. Для курсовая работа на тему биполярные транзисторы цепи усилительного каскада рис. Вольт — амперная характеристика коллекторного резистора RК является линейной, а вольт — амперные характеристики транзистора представляют собой нелинейные коллекторные характеристики транзистора рис.

    Расчет такой нелинейной цепи, т. Для этого на семействе коллекторных характеристик рис. Построенную таким образом ВАХ коллекторного резистора Rк называют линией курсовая работа на тему биполярные транзисторы. Точки пересечения ее с коллекторными характеристиками дают графическое решение уравнения 4. Точка пересечения линии нагрузки с одной из статических ВАХ называется рабочей точкой транзистора.

    Изменяя IБ, можно перемещать ее по нагрузочной прямой. По этим значениям можно найти мощность РКП, выделяющуюся в транзисторе в режиме покоя, которая не должна превышать предельной мощности РК мах, являющейся одним из параметров транзистора:.

    Входные характеристики для различных UКЭ, превышающих 1В, располагаются очень близко друг к другу. Сопротивление резистора RБ обеспечивает работу транзистора в режиме покоячерез который от источника ЕК будет подаваться постоянное напряжение на базу:. В активном усилительном режиме точка покоя транзистора То находится примерно посередине участка линии нагрузки АБ, а рабочая точка не выходит за пределы участка АБ. Сколько стоит написать твою работу?

    9031869

    Работа уже оценивается. Ответ придет письмом на почту и смс на телефон. Для уточнения нюансов. Мы не рассылаем рекламу и спам. Нажимая на кнопку, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с политикой конфиденциальности.

    Спасибо, вам отправлено письмо. Проверьте почту. Если в течение 5 минут не придет письмо, возможно, допущена ошибка в адресе. В таком случае, пожалуйста, повторите заявку. Если в течение 5 минут не придет письмо, пожалуйста, повторите заявку. Отправить на другой номер?